锑化镓(GaSb)基片,Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 -

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锑化镓(GaSb)基片,Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底

货号	规格	数量	价格
Q-0058848	100mg	1	询价
Q-0058848	250mg	1	询价
Q-0058848	500mg	1	询价
Q-0058848	1g	1	询价
Q-0058848	5g	1	询价

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产品介绍

GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元，III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaS单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、移动加热法/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VBG）等。

晶体	GaSb
结构	立方 a=6.094A
晶向	<100>
熔点	712oC
密度	5.53g/cm3
禁带宽度	0.67

单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度 cm-3	迁移率(cm2/V.s)	位错密度(cm-2)	标准基片
GaSb	本征	P		(1-2)*1017	600-700	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Zn	P		(5-100)*1017	200-500	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Te	N		(1-20)´1017	2000－3500	《1*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	西安齐岳生物科技有限公司

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