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氮化铝(AlN)陶瓷基片

氮化铝(AlN)陶瓷基片；2"x2"x 0.5mm，单抛或双抛； 10x10x0.5mm，单抛或双抛；

货号 规格 数量 价格
Q-0058209 100mg
1
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Q-0058209 250mg
1
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Q-0058209 500mg
1
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Q-0058209 1g
1
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Q-0058209 5g
1
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张惠宁销售经理
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产品介绍

 型号

 SD5111

 SD5113

 SD5115

 SD5116

 密度：

 >3.2

 >3.25

 >3.25

 >3.26

 热导率：

 80~100

100~130

140~170

 >170

 热膨胀系数：

 <4.5

 <4.3

 <4.3

 <4.2

 耐电强度：

 >15

 >15

 >15

 >15

 介电系数

 9.0

 8.7

 8.7

 8.7

 tgδ

3~10

3~7

3~7

 3~7

 体电阻率

>1013

>1014

>1014

>1014

抗折强度

 >20

>25 

 >28

 >30

描述：热导率高，电性能好，热胀系数与Si片接近，无毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。

常规尺寸：2"x2"x 0.5mm，单抛或双抛；

        10x10x0.5mm，单抛或双抛；

纯度：>99％；

表面粗糙度Ra< 100A；

注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。

 

参数信息
外观状态： 固体或粉末
质量指标： 95%+
溶解条件： 有机溶剂/水
CAS号： N/A
分子量： N/A
储存条件： -20℃避光保存
储存时间： 1年
运输条件： 室温2周
生产厂家： 西安齐岳生物科技有限公司
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