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InP晶体基片

磷化铟(InP)晶体基片提供Sn；S；Fe：Zn掺杂

货号	规格	数量	价格
Q-0058097	100mg	1	询价
Q-0058097	250mg	1	询价
Q-0058097	500mg	1	询价
Q-0058097	1g	1	询价
Q-0058097	5g	1	询价

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张惠宁销售经理

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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG

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产品介绍

单晶	InP
掺杂	None；Sn；S；Fe：Zn
硬度	3.0莫氏硬度
密度	4.78 g/cm3
导电类型	N；N；N；Si；P
折射率	3.45
载流子浓度cm^-³	1-2x10¹⁶1-3x10¹⁸ 1-4x10¹⁸.6-4x10¹⁸
位错密度cm^-2	<5x10⁴
生长方法	LEC
温度	1072℃
弹性模量	7.1E11dyn Cm-2

标准尺寸：表面粗糙度Ra：<15A

晶向：

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	西安齐岳生物科技有限公司

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