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a-Si(n)/c-Si(p)异质结 齐岳定制
发布时间:2024-04-23     作者:zhn   分享到:

产品名称: 

a-Si(n)/c-Si(p)异质结 齐岳定制

描述: 

a-Si(n)/c-Si(p)异质结是指n型非晶硅(a-Si)与p型晶体硅(c-Si)两种半导体材料形成的异质结。这种异质结在光电器件、太阳能电池等领域有着重要的应用,因为它结合了非晶硅和晶体硅的优点。

制备a-Si(n)/c-Si(p)异质结可能包括以下步骤:

  1. 非晶硅制备:采用物理气相沉积(PECVD)等方法在基底上生长n型非晶硅薄膜。

  2. 晶体硅制备:对p型晶体硅基底进行表面处理,确保其质量和结构完整性。

  3. 界面结合:将生长好的非晶硅薄膜与p型晶体硅基底形成界面结合,通过热处理或者其他方法实现。

  4. 器件制备:基于a-Si(n)/c-Si(p)异质结设计和制备具有特定功能的器件,如太阳能电池等。

配送:惯例下常温**

包装:盒装

厂家:西安齐岳生物科技有限公司 

种类:异质结

温馨提示:仅用于科研

异质结

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