产品名称： 

n-ZnO/p-Si异质结

描述：   

n-ZnO/p-Si异质结指的是n型氧化锌（n-ZnO）与p型硅（p-Si）两种半导体材料形成的异质结。这种异质结在光电器件、传感器、光伏器件等领域具有重要的应用，因为它结合了氧化锌的光电性能和硅的广泛应用基础。

制备n-ZnO/p-Si异质结可能涉及以下步骤：

1. 氧化锌薄膜生长：采用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法，在硅基底上生长n型氧化锌薄膜。

2. 硅基底制备：对p型硅基底进行表面处理和清洗，以保证良好的接触和结合。

3. 界面结合：将生长好的n-ZnO薄膜与p-Si基底形成界面结合，通常通过热处理或压力处理等方式实现。

4. 器件制备：设计和制备具有特定功能的器件，如光电探测器、光伏电池等。

配送：惯例下常温**

包装：盒装

厂家：西安齐岳生物科技有限公司 

种类：异质结

温馨提示：仅用于科研

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