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石墨烯与砷化镓异质结graphene/GaAs 定制合成
发布时间:2024-04-23     作者:zhn   分享到:

产品名称: 

石墨烯与砷化镓异质结graphene/GaAs

描述:  

石墨烯与砷化镓异质结(Graphene/GaAs Heterostructures)是指由石墨烯(Graphene)和砷化镓(Gallium Arsenide,简称GaAs)两种材料组成的异质结。这种异质结结合了石墨烯的导电性和砷化镓的光电性能,在光电子器件、传感器、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。

制备石墨烯与砷化镓异质结可能包括以下几个步骤:

  1. 砷化镓基底制备:通过分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法在基底上生长砷化镓薄膜或晶体。

  2. 石墨烯制备:采用化学气相沉积(CVD)、机械剥离法等制备石墨烯单层或多层片,确保其质量和结构完整性。

  3. 界面结合:将石墨烯与砷化镓进行界面结合,可以采用物理吸附、化学修饰等方法实现。

  4. 性能表征:对制备的石墨烯与砷化镓异质结进行结构、形貌和性能的表征,包括电学性能、光学性能等。

这种异质结的制备涉及到多个步骤和技术,需要综合考虑材料合成、界面物理化学、器件设计等方面的工作。

配送:惯例下常温**

包装:盒装

厂家:西安齐岳生物科技有限公司 

种类:异质结

温馨提示:仅用于科研

异质结

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