六方氮化硼与石墨烯复合形成异质结（h-BN/Graphene）的表征图

西安齐岳生物科技有限公司供应氮化硼粉末、单层、少层氮化硼，六方氮化硼纳米片、各种基底CVD生长的氮化硼(c-BN)薄膜、原子掺杂六方氮化硼、以及合成六方氮化硼、石墨烯、二硫化钼等形成异质结复合材料。

异质结是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域，异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。因此通过将六方氮化硼与其他二维材料进行复合形成异质结以结合两种材料的优点和特性，也是现在研究的热点之一。将氮化硼BN和石墨烯进行单原子层的复合，从而利用BN的绝缘性能和石墨的导电能力，吸引了工业界和科学界的广泛注意。通过CVD或者外延生长的方法，都可以实现异质结的形成。

石墨烯/h-BN异质结3种不同的堆积方式示意图（a）AA; （b）ABB;（c）ABN;上图为俯视图

BN-石墨烯异质结的制备和表征

(a) 石墨烯/h-BN面内及纵向叠层异质结的生长示意图; (b)异质结的UV-visible光谱表征

齐岳生物提供定制氮化硼产品列表：

水溶性六方氮化硼纳米片

零维氮化硼富勒烯和纳米粒子

一维氮化硼纳米管BNNTs

二维氮化硼纳米片BNNSs

二硫化钼/二硫化钨异质结MoS2/WS2

二硫化钼/二硒化钨异质结MoS2/WSe2

二硫化钼/二硫化钨/石墨烯异质结MoS2/WS2/MoS2/WS2

二硫化钼/氮化硼/石墨烯异质结MoS2/hBN/Graphene

二硫化钼/二硫化钨/氮化硼/石墨烯异质结MoS2/WS2/hBN/Graphene  

二硫化钼/石墨烯异质结薄膜MoS2/Graphene

二硫化钨/石墨烯异质结薄膜WS2/Graphene

二硒化钨/石墨烯异质结薄膜WSe2/Graphene

二硒化铂/石墨烯异质结薄膜PtSe2/Graphene

二硒化铼/石墨烯异质结ReSe2/Graphene

二硫化锡/石墨烯异质结SnS2/Graphene

二硒化锡/石墨烯异质结SnSe2/Graphene  

二硫化钼/氮化硼异质结MoS2/hBN

二硫化钨/氮化硼异质结WS2/hBN

二硒化钼/氮化硼异质结MoSe2/hBN

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温馨提示：我们提供的产品仅仅用于科研，不能用于临床（zhn2020.09.10）