由于硫系材料光电性质固定，制备工艺复杂，增加其应用范围面临挑战。为了解决这一问题，需要研究不同掺杂比例的块体陶瓷。

研究了钼氧化物、钼氧化物和镓氧化物的掺杂比例对块体陶瓷的组成、结构、形貌和发光性能的影响，通过质量损失和体积收缩分析确定了该范围内的**掺杂比例。x射线衍射结果证实了该晶体的立方晶结构。

结果表明，通过拉曼光谱分析，钼被成功地掺杂到基体材料中。利用x射线荧光技术研究了烧结前后块体陶瓷的组成比变化。建立了不同浓度Mo-ZnSe /ZnS的分子结构模型。

x射线光电子能谱显示了Zn 2p和s2p的自旋轨道，以及Mo和Ga的+3价态。光学性能得到了提高，发光波段扩大到近红外区域。

研究结果表明，该化合物具有较好的微观结构、光学性能和电学性能。

本研究可为硫系材料的掺杂和新型光电器件的研究提供理论和实验参考。

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