采用低温溶剂热法制备了平均粒径为4.4 nm的ZnO量子点。

以ZnO QD溶液为原料，采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜，并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。

光致发光分析表明，包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。

薄膜的光电性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影响较大。随着温度升高到450℃，光暗电流比(PDCR)从3723降低到371%，而响应率从1.25增加到218 mA/W。

as涂层和250°c退火的薄膜由于其更大的表面与体积比，在PDCR、上升时间和下降时间方面具有更好的光响应，使其成为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。

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