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PbSe量子点多波长近红外LED的制备方法
发布时间:2021-08-06     作者:axc   分享到:

本文提出基于PbSe量子点多波长近红外LED的气体检测方法,根据近红外气体吸收检测的原理,使用PbSe量子点多波长近红外LED作为检测光源,其发射光谱与被测气体近红外吸收光谱相吻合,实现多气体的种类鉴别和含量检测。

基于PbSe量子点多波长近红外LED的制备方法,其特征在于,作为气体检测光源,基于PbSe量子点的近红外LED制备方法如下:

步骤一、计算PbSe量子点的尺寸:选取900nm~1600nm波长范围内的一种或多种波长作为多波长近红外LED的发射波长,应用公式1计算出PbSe量子点的尺寸,其中λ为多波长近红外LED的发射波长,单位nm,D为PbSe量子点的尺寸,单位nm,选择的波长及波长数量依据实际要求决定;

**步、制备PbSe量子点:根据步骤一的计算结果,制备出与之对应尺寸及数量的PbSe量子点,将制备好的PbSe量子点进行校准,使其与被测气体吸收光谱相一致;

第三步、制备PbSe量子点与无影胶即UV胶的混合溶液:将制备好的PbSe量子点分别溶解到氯仿溶液中,分别将溶解后的PbSe和氯仿混合溶液与UV胶相混合,通过涡旋混合和超声处理后,使其变为均匀混合物,并在真空室中除去混合物中的氯仿;第四步、沉积混合溶液,

第四步、制备多波长近红外LED1:将第三步得到的混合溶液,依据混合溶液中PbSe量子点由大尺寸至小尺寸的原则依次进行沉积,使用氮化镓即GaN芯片作为激发光源,将制备尺寸的PbSe量子点与UV胶混合溶液沉积在GaN芯片表面作为一层,根据实际需要将其抛光为适当的厚度;然后将尺寸为**的PbSe量子点与UV胶混合溶液沉积在作为一层PbSe量子点层上,根据实际需要将其抛光为适当的厚度;可根据具体需要对上述步骤一至四步过程重复操作,完成多波长近红外LED1的制备。

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蓝光油溶性CdS量子点(QD)360nm--460nm

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