单层硅锗(Si-Ge)薄膜外延生长步骤
发布时间：2021-06-23 作者：axc 分享到：
在温度为６００度左右，３英寸１１型Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ单层结构，衬底经过ＲＣＡ＋１０％ＨＦ酸清洗后立即送进设备，生长室本底真空ｌｆｆ７帕，衬底以顺时针１０转每秒的速度旋转，生长压强约几帕数量级。生长步骤如下：
１，以流量为２ｓｃｃｍ生长Ｓｉ缓冲层，生长时间为１００秒。以改善外延衬底质量。
２，关闭流量阀，抽生长室气体，以消除ＳｉＧｅ、Ｓｉ层生长干扰，优化生长条件。
３，打开气路开关，使ＳｉＨ４与Ｇｅ出气体混合均匀，时间６０秒。
４，打开气路开关，以Ｓｉｎ４：６ｅＨ４比为６：１ＳＣＣＭ生长ＳｉＧｅ层，生长时问５０秒。
５，关掉气路开关，对生长室抽残余ｓｉｌ４４，Ｇｅｌ４４气体３０秒，以获得成分陡峭的ＳｉＧｅ，Ｓｉ层。
６，以２ＳＣＣＭ流量生长Ｓｉ顶层，时间４５０秒。
ＨＲＸＲＤ测试表明获得结晶良好ＳｉＧｅ外延层，ＸＴＥＭ测试（如下图）表明获得界面清晰，完整的层状结构，ｓｉ缓冲层、ＳｉＧｅ层、Ｓｉ顶层依次厚为４０ｎｍ、４５ｎｍ、１８０ｎｍ。同时发现购买的硅片缺陷较大，这无疑对我们的外延质量有重大影响。
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