介绍几种调控蜂窝状六角片层氮化硼（BN）带隙的方法

西安齐岳生物科技有限公司可以提供各种形貌的氮化硼，碳化硼类产品，石墨烯、MAX等二维材料，提供一些C，O原子掺杂调控氮化硼，各种改性功能化修饰氮化硼复合材料。

由于六角片层蜂窝状氮化硼（BN）具有类似石墨烯的结构，BN是一种宽禁带半导体，掺杂可以使其很多原始性质得以改变。现在一个很重要的研究方向就是如何在保证其蜂窝状结构的同时，使BN的带隙得以收窄，成为一种**光催化剂。理想的光催化剂的能带带隙宽度应该在1.8eV到2.3eV之间。

可以通过以下几种方式调控方式使其能带带隙宽度在1.8eV到2.3eV之间：

1、通过掺杂C，O原子调控

在理论上和实践中六角片层蜂窝状氮化硼通过掺杂C，O原子都可以使其带隙得以调控。这种掺杂在BN材料的生长过程中和后处理过程中都可以实现。从而使半导体中产生杂质能级，提高可见光的吸收。

2、采用外加电场手段来调控双层BN片的带隙至可见光范围内。

双层BN片在外加电场大小从0逐渐增至0.015 au时，带隙随之可以由4.45 eV减小至0.3 eV，从而可能成为**的光催化剂。

3、Stone-Wales反位缺陷调控BN纳米条带的宽带隙

Stone-Wales缺陷使得BN纳米带的价带顶（VBM）和导带底（CBM）的占据态发生变化,从而引入了缺陷能级降低了带隙

4、应变调控BN片的能带结构:

BN薄膜衬底上时,由于晶格失配,将产生应变。研究表明,BN片的带隙随拉伸应变的增加而线性减小,且其斜率不依赖与BN片的层数。

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