贵金属/过渡金属及其化合物的掺杂改性类石墨相g-C3N4复合材料

西安齐岳生物提供各种石墨相氮化碳(g-C3N4)、石墨烯纳米复合材料，提供石墨相氮化碳g-C3N4上负载各种金属（Fe、Ni、Cu、Zn）以及过渡金属氧化物(Fe2O3、Co3O4、CuO、ZnO),也提供非金属（O、S、N、P）掺杂g-C3N4的定制合成。

化学掺杂改性能够很好地改变g-C3N4的电子结构, 从而改善光催化性能，g-C3N4的掺杂主要包括了金属掺杂和非金属掺杂。金属元素掺杂主要包括Fe、Ni、Cu、Zn等，一般认为将少量金属离子掺杂到g-C3N4结构单元中，可使其成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱，延长电子与空穴的复合时间，从而提高了g-C3N4光催化性能。非金属掺杂主要包括O、N、P、S、B、F等，一般认为3-s-三嗪结构单元中的C、N、H元素被这些非金属元素取代，从而形成了g-C3N4的晶格缺陷，从而达到光生电子-空穴对**分离的效果,导致光催化性能的提高。

下图提供一种非金属O掺杂中g-C3N4。实验过程中先使用了温和的H2O2对三聚氰胺进行预热处理，通过产生的氢键形成MHP(氰胺-双氧水)，然后在连续不断通氮气的同时使用550 ℃高温锻烧得到超分子聚集体。发现，氧掺杂优化了单元结构，增强了光吸收率与电荷分离效率，同时带隙减小，提供光催化效果，掺杂后的材料碳原子附近的电荷密度急剧降低，氮原子附近电荷密度急剧上升。

氧掺杂g-C3N4光催化剂的合成示意图以及带隙

定制产品：

Fe铁掺杂g-C3N4

Ni镍掺杂g-C3N4

Cu铜掺杂g-C3N4

g-C3N4负载钯纳米颗粒

Zn锌掺杂类石墨相g-C3N4

P掺杂g-C3N4纳米片

Co分子催化剂修饰介孔g-C3N4

Ni负载在C3N4纳米片

Ag负载在C3N4纳米片

In修饰g-C3N4复合材料

Ni/g-C3N4材料

Ni -掺杂Mo-MOF材料

碳掺杂的g-C3N4纳米片

氧掺杂g-C3N4光催化剂

S搀杂端甲基化g-C3N4纳米片

氮化碳g-C3N4负载金属纳米粒子

石墨相氮化碳(g-C3N4)与Bi系化合物复合材料

碘掺杂改性石墨相氮化碳(g-C3N4)

Ce掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)

磷(P)掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)材料(P-CN)

碱金属掺杂的石墨相氮化碳

超薄多孔N掺杂纳米片组装的三维石墨相氮化碳（g-C3N4）

介孔二氧化硅包裹g-C3N4氮化碳纳米颗粒

g-C3N4负载二硫化钼

g-C3N4负载纳米银复合材料

g-C3N4负载镍金属纳米颗粒Ni@g-C3N4

g-C3N4负载钯金属纳米颗粒Pd@g-C3N4

g-C3N4负载钴纳米颗粒Pt@g-C3N4

物理复合改性石墨相g-C3N4

物理复合改性是目前很方便的改进方法。选用的复合物主要有金属材料（如普通金属、贵金属化和双金属材料），半导体材料（如金属氧化物、金属氢氧化物、金属硫化物、金属复合物、合成化合物、金属有机框架以及其他），类石墨烯材料（如石墨烯、 氧化石墨烯、碳纳米管等），高分子化合物（如P3HT、PANI等）。复合后g-C3N4的光催化性能都有一定提高。并且g-C3N4与复合物质之间并非简单的物理混合，而是充分接触形成异质结。由于二者导带和价带位置的差异，g-C3N4光激发产生的电子或空穴转移至复合物的导 带或价带中，电子空穴分离，复合率降低，从而可以更**地利用光激发产生的活性粒子。

石墨相氮化碳(g-C3N4)由于其廉价、易得的优点，广泛应用于光催化领域，但由于其光生载流子易于复合，限制了其光催化活性进一步提升。光催化制氢过程中通常需要使用牺牲试剂捕获空穴，以提升载流子分离。窄带隙(2.2 eV)n型半导体三氧化二铁(α-Fe2O3)，由于其廉价、热力学稳定性和环境友好的特点，是一种潜在的可见光催化剂。

西安齐岳生物提供物理复合改性石墨相g-C3N4产品：

MoS2掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)

WS2掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)

SnS2掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)

TiO2掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)

聚乙烯醇(PVA)包覆g-C3N4

聚己内酯(PCL)包覆g-C3N4

四氮化三碳g-C3N4负载TiO2二氧化钛复合材料

四氮化三碳g-C3N4-半导体纳米粒子复合材料

四氮化三碳g-C3N4负载ZnO氧化锌纳米粒子

四氮化三碳g-C3N4负载SnO2氧化锡纳米颗粒

四氮化三碳g-C3N4负载MnO2二氧化锰纳米颗粒

四氮化三碳g-C3N4负载CO3O4氧化钴纳米颗粒

四氮化三碳g-C3N4负载Fe3O4氧化铁纳米颗粒

四氮化三碳g-C3N4负载Fe2O3三氧化二铁纳米颗粒

g-C3N4负载NiO氧化镍纳米颗粒

g-C3N4负载Cu2O氧化亚铜纳米颗粒

g-C3N4负载RuO2氧化钌纳米颗粒

g-C3N4负载CdSe硒化镉纳米颗粒

g-C3N4负载Pd纳米颗粒Pd@g-C3N4

g-C3N4氮化碳负载铜纳米粒子

g-C3N4负载Co3O4-ZnO纳米颗粒

氮化碳g-C3N4纳米片负载核壳结构

g-C3N4/硫化铜纳米粒子

体相氮化碳(B-CN)和介孔石墨相氮化碳(mpg-CN)

TiO2纳米颗粒均匀负载于多孔g-C3N4表面

TiO2/多孔g-C3N4纳米复合材料

负载过渡金属元素的C3N4二维纳米片

负载铁、钴、镍的C3N4二维纳米片

氨基化C3N4氮化碳纳米片（NH2-g-C3N4）

g-C3N4-CdS复合材料

g-C3N4纳米片与SnS纳米片复合材料

g-C3N4的非金属掺杂主要有O、C、S、B、I、F等，

g-C3N4的金属掺杂主要有Zn、Fe、Ni、Cu、Co和碱金属。

BiOCl/g-C3N4异质结

TiO2/g-C3N4异质结

Bi2MoO6/g-C3N4异质结

Al2O3/g-C3N4异质结

Ag3PO4/g-C3N4等异质结

金属/g-C3N4异质结

其他半导体/g-C3N4异质结

碳材料/g-C3N4异质结

导电聚合物/g-C3N4异质结

可见光响应能力的石墨相氮化碳(g-C3N4)材料

硫化铋纳米颗粒引入g-C3N4类石墨相氮化碳

不同形貌及性能的类石墨相氮化碳(g-C3N4)

u-g-C3N4呈片状结构石墨相氮化碳

m-g-C3N4呈块状结构石墨相氮化碳

Fe2O3/g-C3N4 三氧化二铁修饰石墨相氮化碳

黑磷纳米片改性的石墨相氮化碳纳米片(BPCNS)

具有三嗪和七嗪结构的石墨相氮化碳(CNV)

银基/石墨相氮化碳Ag/g-C3N4

氧化锆/石墨相氮化碳复合材料ZrO2/g-C3N4

石墨相氮化碳(g-C3N4)和钛酸铋复合材料

Bi(12)TiO(20)/g-C3N4催化剂

载钴介孔石墨相氮化碳(Co/mpg-C3N4)

BiVO4/石墨相氮化碳复合物(BiVO4/g-C3N4)

石墨相氮化碳(g-C3N4)表面改性的商品化LiCoO2复合材料

以上资料源于西安齐岳生物科技有限公司

温馨提示：我们提供的产品仅仅用于科研，不能用于临床（zhn2020.06）