齐岳生物提供硅纳米线(SiNWs)表面有机物APTES改性以及生物改性

西安齐岳生物提供各种不同长度的纳米金线，纳米钯线，纳米铑线，纳米钌线，纳米锇线，纳米铱线，纳米铂线，纳米银线，CdS纳米线，CdSe纳米线，InAS纳米线，ZnSe纳米线，ZnTe纳米线，CdS-CdSe纳米线，CdTe纳米线，GaAs纳米线，GaSb纳米线，InP纳米线，SnO2纳米线，ZnO纳米线，ZnS纳米线，CdS纳米带，三氧化钼纳米线MoO3，单晶Sb2S3纳米线，碳化硅纳米线，SiO2纳米线，TiO2纳米线，氮化硅α-Si3N4纳米线。同时实验室提供各种纳米线的改性，化学修饰，生物修饰，纳米线功能化修饰。

硅纳米线表面有机物改性

Cui 等[19]在硼掺杂的硅纳米线外表面用三氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)改性，此界面可进行 质子化和反质子化，也可以改变界面的电荷分布状况，改性后的硅纳米线被集成为场发射效应管用于检测 pH 的纳米传感器。图5为 APTES 改性的硅纳米线检测 pH 的原理图。在两极加上直流电压，通过传感器电导率的变化来表征 PH，研究发现传感器的电导率随 PH 的变化呈线性变化，对没有进行表面改性的硅纳米线传感器研究表明，其电导率和 pH 变化不符合线性规律。作者认为在酸性较强的环境中 NH2 基团得到一个质子，消耗 p 型掺杂硅纳米线中的空穴载流子使得电导率降低，而在酸性较弱的环境中Si(OH)基团失去一个质子，从而载流子增多导致电导率增强。

图 5 表面改性的硅纳米线应用于 pH 检测的纳米传感器

放大图像为 APTES 改性硅纳米线表面电荷状态

硅纳米线表面生物改性

纳米线可用于免标记、实时检测生物分子以及检测 DNA 及其它大分子生物基团并可进行电子编址,免标记的传感器的发展为基础生物学及医学中的基因筛选、生物恐怖预防应用的研究提供了可能。Hahm 等[20]采用纳米金为催化剂由化学气相沉积方法制备了硼掺杂硅纳米线，并在其表面装配肽核酸(PNA)进行表面改性，用中介抗生物素蛋白质层将 PNA 受体与硅纳米线连接在一起，肽核酸受体改性后硅纳米线的表面可以识别囊性纤维化跨膜受体基因野生型ΔF508 基因突变位点；浓度测试研究表明此种改性的硅纳米线做成传感器可以进行无标记、实时、**及选择性检测浓度低于 1×10-11mol/L 的 DNA，为进行遗传筛查及生物威胁的 DNA 检测提供了一条可行的方法。

Li 等[21]在硅基绝缘体晶片上通过离子注入方法掺杂硼和磷，然后再用电子束刻蚀方法制备硅纳米线，HF除去表面硅氧层、样品水离子化处理后，通过气相方法在硅纳米线表面形成一个具有亲水性的自组装单分子自由硫醇表面层，将该样品在氩气氛围的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)气体中放置 4h，清洗烘干后，再将该硅纳米线样品浸泡在 5μmol/L 的寡核苷酸溶液中12h，通过丙烯酸亚磷酰胺基团的 5’位置的作用对硅纳米线进行表面改性。这样就形成了固定的、具有探测 DNA 作用的 ss-DNA 探针，可以应用于探测 DNA 的传感器器件中。这种锚定寡核苷酸在硅纳米线表面为探测 DNA 提供了更稳定的非特定杂化。图 6 为硅纳米线寡核苷酸表面改性的全过程，从插图中可以看到硅纳米线表面包覆了一层三甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷，表面光电信号(SPV)发生了明显变化，经寡核苷酸表面改性的硅纳米线的 SPV 信号急剧减小(约减少了 31.5mV)。研究发现若将这种改性后的硅纳米线应用于检测 DNA 传感器中，当 DNA浓度发生变化时，能通过硅纳米线电导率的变化对 DNA 进行实时检测。研究者认为当所要检测的 DNA 吸附在硅纳米线表面时，由于 DNA 自身带有的负电荷引起了纳米线表面负电荷增加，从而增加(减少)了 p 型(n 型)硅纳米线载流子浓度，导致了硅纳米线电导率的变化。

图 6 探测 DNA 而进行硅纳米线表面改性的全过程

(1) 硅纳米线在氩气氛围的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)气体中反应 4 小时；(2)5μmol/L 的寡核苷酸溶液中，通过丙烯酸亚磷酰胺基团的 5’位置的作用对进行硅纳米线的表面改性；(3)探测 DNA 的过程，未标记补足 DNA 靶(GGA TTA TTGTTA)和固定在硅纳米线表面的 DNA 探针发生杂化；插图为硅纳米线表面改性过程中不同阶段 SPV 信号对比

相关定制产品：

磷掺杂硅纳米线SiNWs

硼掺杂硅纳米链

取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列

碳纳米管中间的孔洞内修饰硅纳米线

碳纳米管-硅纳米线复合材料定制

金纳米粒子修饰硅纳米线(AuNPs-SiNWs)

镍/硅纳米线复合材料

硅(100)衬底上生长硅纳米晶体,纳米线

圆形的双硅纳米线SiNWs

硼,磷及锂掺杂硅纳米线

碱溶液修饰硅纳米线阵列

大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列

F饱和与H饱和的(100)硅纳米线

Au掺杂硅纳米线SiNWs

Au掺杂[100]方向氢钝化硅纳米线(SiNWs)

硅纳米线复合聚3-十二烷基噻吩混合薄膜

基于BOE硅腐蚀现象的硅纳米线

在P型单晶硅片(100)基底上制备定向排列的硅纳米线阵列

垂直基底方向生长的硅纳米线阵列

硅纳米线SiNWs表面负载了贵金属纳米粒子

AuNPs/SiNWs复合材料

PtNPs/SiNWs复合材料

硅纳米线掺硼B

基于表面改性硅纳米线杂化P3HT

ZnO复合的多孔硅纳米线(PSiNWs)

基于有机物修饰的硅纳米线

硅纳米线阵列(Silicon nanowire arrays,SiNWAs)

硅纳米线表面包覆TiO2复合材料

硅纳米线表面加载纳米金颗粒

聚氨酯/氧化硅纳米线复合材料

单晶氧化硅纳米线改性聚氨酯复合材料

聚氨酯(PU)接枝改性硅纳米线阵列(SiNWAs)

Ni/Si纳米线阵列

CVD法生长出来的硅纳米线

二维二硫化钼纳米薄膜修饰硅纳米线阵列

碳铜包覆改性硅纳米线材料

一维氧化硅(SiOx)纳米线

多孔碳包覆氧化硅纳米线(pC-SiOx NWs)核壳结构材料

不同浓度Ni掺杂硅纳米线

铂覆盖硅纳米线阵列定制合成

购买须知：

1.关于颜色

产品因分子量不同，产品性状和颜色会有差别。

2.关于客服

如您的咨询没能及时回复，可能是当时咨询量过大或是系统故障。

3.关于售后

我们将提供完整的售后服务，保证。

4.关于发货

我们的合作快递公司有顺丰、圆通、申通、韵达。

温馨提醒：仅供科研，不能用于人体实验（zhn2021.02.24）