硼烯线缺陷的混合和周期性自组装-UDP糖丨MOF丨金属有机框架丨聚集诱导发光丨推荐西安齐岳生物 -

图1a显示了硼在UHV中的Ag（111）上沉积后的亚单层氮烯的STM图像。明亮的点对应于通常存在作为少数物种borophene生长后的小颗粒硼1，2，13。由于STM成像的地形和电子结构的卷积，所述borophene岛屿显示为这些成像条件下的凹陷，与先前的报道一致1，2，13。对于沉积在表面21和氮化金属表面22上的金属的亚单层覆盖，还观察到原子薄岛结构。

但是，这些岛要么是与基底的合金，要么是与基底共价键合的，这与硼烯和银基底之间较弱的非共价相互作用不同。在STS（d I / d V）图（图1b）中，同一区域的borophene岛被更清楚地区分为亮域。在440至470°C的底物生长温度下，始终观察到两个不同的硼烯相，分别对应于HH浓度为v = 1/6和1/5的v 1/6和v 1/5结构（v = n / N，其中 Ñ是户对一否则三角晶格的数目Ñ晶格位点）1，2，13。补充图1给出了硼烷在更宽的温度范围内生长的温度相关性，该图显示了随着生长温度从350°增加到500°，硼烷从v 1/6到v 1/5的逐渐过渡。C。DFT计算显示这两个相具有相似的化学势，因此具有相似的热稳定性（v 1/ 6，-6.359 eV原子–1；v 1/ 5，-6.357 eV原子–1（补充图2）），与先前的研究一致3，4。

图1：原始的硼烷在Ag（111）薄膜上的生长。

a，b，生长在Ag（111）上的硼苯的态密度（DOS）的大规模STM形貌（a）和STS图（b）。c，d，v 1/6（c）和v 1/5（d）硼芬片的原子分辨率STM图像，行间距分别为0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e，在v 1/6和v 1/5硼芬片的不同位置拍摄的六个STS光谱显示出金属行为。f，g，B 1的原位XPS光谱s（f）和O 1 s（g）的核心水平表明原始的硼烷生长。STM偏置电压（V s）在a和b中为–1 V，在c中为–0.35 V，在d中为–1.2V 。au。

图2a显示了STM形貌的空间导数图（图2b），该图更清楚地显示出较大的borophene岛由v 1/6和v 1/5薄片组成，蓝色和红色表示各自的线缺陷箭头（辅助图3中提供了放大的图像以支持此分配）。在该线缺陷v 1/6片类似于的砖壁结构v 1/5片，这表明相边界的分配。该相混合示意性地显示在图2c中，其中v 1/6v 1/5和v 1/5分别被涂成红色和蓝色，相应的线缺陷被涂成蓝色和红色。这些线缺陷的其他图像在补充图4中提供。尽管线缺陷的密度相对较高，但在300 K处相同区域的STS映射显示出最小的对比度（图2d）。DFT计算证实了线缺陷的金属性质（补充图5），这意味着在室温下对金属硼苯的电子性能的影响最小。

图2：硼苯中存在线缺陷。

a，b，borophene岛的STM形貌（b）的派生图像（a）显示出平行线缺陷的存在。的v 1/6和v 1/5 borophene区标记，和它们各自的线缺陷是由蓝色和红色箭头头部指出。c，基于a中的图像，在v 1/6（红色）和v 1/5（蓝色）硼苯甲结构域中线缺陷的分布的示意图。线缺陷的颜色相反。d，相同区域的STS图显示了在borophene片内的最小电子对比度。V s = –0.65 V in b和d。

原子分辨的STM图像如图3a，b所示，其中v 1/6和v 1/5的线缺陷分别由蓝色和红色箭头指示。在线缺陷v 1/6（v 1/5）片材由交错（对齐）蓝色（红色）所示矩形表示3A，3B，和表明线缺陷在v 1/6域类似于单元的v 1/5片，反之亦然。此外，线缺陷在v 1/6和v 1/5中的行间间距薄板为0.45±0.02 nm（表示为d 2）和0.54±0.03 nm（表示为d 1），与v 1/5和v 1/6薄板相匹配。

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