GaN系列薄膜
GaN系列薄膜,常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型,注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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Q-0049575 | 100mg |
1
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询价
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Q-0049575 | 250mg |
1
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询价
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Q-0049575 | 500mg |
1
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询价
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Q-0049575 | 1g |
1
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询价
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Q-0049575 | 5g |
1
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询价
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张惠宁销售经理

业务范围:AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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产品介绍
氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。 技术参数: 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型;半绝缘型;P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown **值<1nm 可用表面积>90%
参数信息 | |
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外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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