硅基铌掺杂Bi4Ti3O12薄膜溶胶
铌元素(Nb)取代Ti元素的Bi4Ti3O12(BTN)铁电薄膜，La和Nd掺杂的硅基Bi4Ti3O12铁电薄膜
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0002611 | 100mg |
1
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询价 |
| Q-0002611 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0002611 | 500mg |
1
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询价 |
| Q-0002611 | 1g |
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询价 |
| Q-0002611 | 5g |
1
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询价 |
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李皓销售经理
18092306871
2997912684
业务范围：有机光电 | 电子材料 | 金属催化 | 多肽类 | 纳米产品
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描述：研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显.铁电性方面,对Ti进行2%掺杂取代的BTN薄膜的铁电性能较佳.从而获得了BTN薄膜制备的合理工艺参数.
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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