通过水相法合成了一种新型的多巯丙基poss(OctamercaptopropylPOSS,0M-POSS)修饰的CdTe量子点,该量子点的荧光量子产率高可达95%,本文我们讨论了量子点的合成参数如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等对量子点生长及发光性质的影响,同时对OM-POSS修饰的CdTe量子点的光稳定性和稳定性进行了研究。
OM-POSS修饰的CdTe量子点的制备与纯化在可控合成NAC修饰的CdTe量子点的基础上,我们制备OM-POSS修饰的CdTe量子点,其制备过程如下。
**将0.061g的OM-POSS溶于20mL四氢呋喃(THF)中,搅拌10min后,逐滴加入NAC水溶液,其中NAC的量为1.2mmol,二者搅拌10min混合均匀后加入1mmol的CdCh2。5H2O室温搅拌30min,得到含Cd2+的前驱体溶液,后续实验步骤与NAC修饰的CdTe相同,其中NAC/OM-POSS20:1。量子点纯化过程中,先用THF除去未反应完全的OM-POSS,然后再用乙醇除掉其他的多余试剂及副产物。
OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的光谱表征
OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的结构表征
OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的透射电子显微镜(TEM)表征
我们利用透射电子显微镜(TEM)来评价POSS-CdTe量子点的尺寸和形貌,如图2.11所示,荧光发射波长在554nm处的POSS-CdTe量子点星均匀分散的近球形,粒度分布比较均一,约为2.7nm。
小结:我们制备了OM-POSS修饰的CdTe量子点,并且通过IR,xPs,EDS等测试手段证明了OM-POSS对CdTe的成功修饰,通过XRD和TEM表征了POSS-CdTe量子点的结构和形貌。紫外可见吸收光谱和荧光发射光谱表明,经过OM-POSS修饰后CdTe量子点的生长速度明显降低,这是因为多巯基的OM-POSS与C8离子形成了更稳定的络合物所致。在紫外光和有氧环境中,POSS-CdTe量子点可以保持非常好的光稳定性;而且POss-CdTe量子点在存放几个月后,依然可以保持很高的荧光强度,具有很好的稳定性。这是因为NAC和OM-POSS两种修饰剂可以与Cf在量子点表面形成一层Cd-SH络合物,这一络合物包覆在CdTe量子点表面,可以有*钝化量子点表面,使得量子点保持良好的发光性能。
其他量子点定制产品:
聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修饰硫化镉(CdS)半导体量子点(PVP/CdS)
以上资料来自小编axc,2022.03.07
以上文中提到的产品仅用于科研,不能用于人体。