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基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA：以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的高辐射率近红外电致发光

发布时间：2022-01-08 作者：zhn 分享到：

基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA：以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的**高辐射率近红外电致发光

通过分子设计和结构调整，开发出的2,3-二氰基醋蒽并吡嗪（DCPA）衍生物可以实现**的近红外电致发光。

这类衍生物（DCPA-TPA及DCPA-BBPA）采用**的生色团蒽作为核心，并保持了氰基及醋蒽并吡嗪的协同效应；

通过进一步引入芳胺作为电子给体，利用分子内电荷转移机制可以使得发光**的红移。通过系统研究发现，这类衍生物因强烈的分子内电荷转移作用从而具备较大的激发态偶极，

这使得DCPA-TPA及DCPA-BBPA在聚集态下的发光光谱会因掺杂浓度的增加而发生**的红移，二者非掺杂薄膜的发光峰均超过800 nm。同时，生色团蒽的引入可以使得DCPA-TPA的S1态保持较高的振子强度，有利于窄带隙的辐射跃迁，DCPA-TPA的非掺杂薄膜具有较高的荧光量子产率（8%）。

通过单晶测试发现，DCPA-TPA因其分子结构的不对称性形成了大角度的交叉堆积（X-聚集）模式。

基于DCPA-TPA及DCPA-BBPA的掺杂器件即可实现发光峰超过700 nm的深红/近红外发光。而非掺杂器件则实现了起峰位于700 nm，峰值超过800 nm的近红外发光。基于DCPA-TPA的非掺杂器件实现了0.58%的**外量子效率。进一步优化器件结构，DCPA-TPA的非掺杂器件可以将**辐射率提高至20707 mW Sr-1 m-2。而采用了更强给体的DCPA-BBPA的非掺杂器件实现了发光峰位于916 nm的近红外发光。