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非掺杂型蓝光TADF材料研发进展(MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2)
发布时间:2021-12-28     作者:zhn   分享到:

非掺杂型蓝光TADF材料研发进展(MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2)


在TADF材料的研发案例中,大部分TADF材料都需要被掺杂到宽带隙的主体材料中,从而避免因浓度湮灭效应而导致的激子损失。然而,由于纯蓝光TADF材料本身具有宽带隙,为了实现良好的三线态激子限域,必须使用具有超宽带隙的主体材料,这为其实际应用带来了巨大的困难。宽带隙主体材料需要复杂的结构设计,同时由于极短分子内共轭的存在,其本征载流子迁移率通常较低,不利于低功耗OLED器件的实现。该类主体材料还通常包含有不稳定的短共轭官能团,同样不利于稳定型OLED的实现。


鉴于上面存在的问题,一类特殊的在非掺杂条件下具有的浓度湮灭效应的材料体系被开发出来。基于该类蓝光材料,可以实现不需要使用主体材料的OLED器件,具有工艺(不需要共蒸技术)和结构简单的优点。同时基于该类材料,由于整个激子复合区都可以完成发光,相比于掺杂型发光层,在相同的亮度条件下分子处于激发态的概率**降低。此时,双分子相互作用导致的上转换和浓度湮灭效应被大幅,有利于实现更低的器件效率滚降和更长的器件驱动寿命。在该部分中,作者呈现了目前非掺杂型蓝光TADF材料的研究进展,基于该类材料目前已经实现了接近20%的EQE的器件表现,对于器件的驱动稳定性也有**提高。然而,该类蓝光TADF材料目前仍然很少被报道,难度更大的地方更在于实现具有纯蓝光色(CIEy<0.20)的非掺杂型TADF材料。相关的研究仍然需要继续推进,为简化OLED器件结构和工艺,提升OLED驱动稳定性做出贡献。

非掺杂型蓝光TADF材料图片(MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2)

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图5具有高发光效率的非掺杂型蓝光TADF材料设计策略、器件性能和内在机制分析示意图。


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小编zhn2021.12.28


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