二碲化钨WTe2纳米线材料的制备详解
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二碲化钨是具有层状结构的过渡金属硫族化合物,在层内上下碲原子层中间是钨原子层,钨原子和碲原子之间共价键连接,一个钨原子被6个碲原子和两个钨原子包围。
二碲化钨纳米线材料的制备方法:
1、二氧化硅/硅衬底裁剪成1cm*3cm的片状,钨粉和碲粉按比例混匀为混合粉,在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钨纳米线的生长;
2、混合粉放置于一个二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面上,并添加氯化钠;另一片二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面倒扣在放置有混合粉的二氧化硅/硅衬底上;
3、将两个二氧化硅/硅衬底移放置在石英试管中,在所述的石英管内还设置石英试管,石英试管的封口端与混合气体流动方向相对,石英试管用于放置进行化学气相沉积的衬底;
4、氩气的流量为100sccm;氢气的流量为10~40sccm;化学气相沉积的反应温度为600~800℃。制备出了尺寸较为均一的二碲化钨纳米线。
齐岳供应产品供应列表:
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Sb2Te3碲化锑(III)晶体 | Sb2Te3碲化锑(III)薄膜 | Sb2Te3碲化锑(III)粉末 |
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CdTe碲化镉晶体 | CdTe碲化镉薄膜 | CdTe碲化镉粉末 |
Cd.Te.Zn碲锌镉晶体 | Cd.Te.Zn碲锌镉薄膜 | Cd.Te.Zn碲锌镉粉末 |
Cr2Te3碲化铬(III)晶体 | Cr2Te3碲化铬(III)薄膜 | Cr2Te3碲化铬(III)粉末 |
Cu2Te碲化亚铜(I)晶体 | Cu2Te碲化亚铜(I)薄膜 | Cu2Te碲化亚铜(I)粉末 |
CuTe碲化铜(II)晶体 | CuTe碲化铜(II)薄膜 | CuTe碲化铜(II)粉末 |
CuTe2碲化铜(IV)晶体 | CuTe2碲化铜(IV)薄膜 | CuTe2碲化铜(IV)粉末 |
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GeTe碲化锗(II)晶体 | GeTe碲化锗(II)薄膜 | GeTe碲化锗(II)粉末 |
HfTe2碲化铪晶体 | HfTe2碲化铪薄膜 | HfTe2碲化铪粉末 |
In2Te3碲化铟晶体 | In2Te3碲化铟薄膜 | In2Te3碲化铟粉末 |
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MnTe碲化锰晶体 | MnTe碲化锰薄膜 | MnTe碲化锰粉末 |
MnTe2碲化锰(IV)晶体 | MnTe2碲化锰(IV)薄膜 | MnTe2碲化锰(IV)粉末 |
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HgTe碲化汞(II)晶体 | HgTe碲化汞(II)薄膜 | HgTe碲化汞(II)粉末 |
Ag2Te碲化银(I)晶体 | Ag2Te碲化银(I)薄膜 | Ag2Te碲化银(I)粉末 |
SeTe2碲化硒晶体 | SeTe2碲化硒薄膜 | SeTe2碲化硒粉末 |
SnTe碲化锡(II)晶体 | SnTe碲化锡(II)薄膜 | SnTe碲化锡(II)粉末 |
WTe2二碲化钨晶体 | WTe2二碲化钨薄膜 | WTe2二碲化钨粉末 |
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ZrTe2碲化锆晶体 | ZrTe2碲化锆薄膜 | ZrTe2碲化锆粉末 |
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Bi2Te2S辉碲铋矿晶体 | Bi2Te2S辉碲铋矿薄膜 | Bi2Te2S辉碲铋矿粉末 |
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PbSnTe碲锡铅晶体 | PbSnTe碲锡铅薄膜 | PbSnTe碲锡铅粉末 |
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