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磁光石榴石单晶薄膜的主要性能参数
发布时间:2021-04-01     作者:yyp   分享到:

磁光石榴石单晶薄膜

掺Bi磁光石榴石单晶薄膜是一种新型的光信息功能材料。它具有高的Faraday旋转比Qs,适中的光吸收系数α,大的磁光优值0/α和可调节的饱和磁化强度。故可用于磁光调制器、磁光隔离器、激光陀螺,高压电流测试仪、磁光存储器、磁光波导器、图象显示、磁光偏转器、磁光泡器件等。我们用等温浸渍液相外延法,在(111)Gd,Ga,0z衬底上生长(BiTm),(FeGa)5O12及(BiPrGdYb)2(FeA1)6O12:磁光单晶薄膜,磁光优值分别达2.90及4.05deg/dB,其主要性能参数见表1。

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供应产品目录:

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

铬-氧薄膜

铜铟硒硫薄膜

铬硅碲CrSiTe3薄膜

镍铬/铬硅钴薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化镉-硅基薄膜

嵌入多纳米片的碲化铬薄膜

三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜

铬锗碲CrGeTe3薄膜

锗镓碲硫卤玻璃薄膜

高性能锗锑碲相变薄膜

银/铬(Cr/Ag)薄膜

铜铟磷硫CuInP2S6薄膜

铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜

氯化铬CrCl3薄膜

碲化钴CoTe2薄膜

钴掺杂TiO2薄膜

银钒磷硒AgVP2Se6薄膜

银纳米薄膜

银铋硫薄膜

铬-银-金薄膜

石墨烯/银复合薄膜

银金纳米线PDMS复合薄膜

聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜

电沉积银铟硒薄膜

冷轧钯银合金薄膜

三硫化二镓Ga2S3薄膜

FeS2复合薄膜

三硒化二镓Ga2Se3薄膜

纳米砷化镓(GaAs)薄膜

砷化镓(GaAs)纳米结构薄膜

砷化镓(GaAs)多晶薄膜

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜

镓铟硒GaInSe薄膜

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡(CZTS和SnS)薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

yyp2021.4.1


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