连续梯度带隙单晶钙钛矿薄膜厚度约600nm到100μm
钙钛矿单晶器件生长和制造的方法—溶液光刻辅助外延生长和转移策略，用于任意衬底上制备单晶杂化钙钛矿薄膜，同时并控制其厚度（从约600nm到100μm），面积（较大约5.5cm×5.5cm），以及厚度方向上的组成成分梯度（从MAPbI3到MAPb0.5Sn0.5I3）。
梯度单晶钙钛矿
该器件表现出了厚度依赖的机械柔性，通过铅锡梯度合金形成梯度电子带隙，提升了载流子迁移率并降低了载流子复合率。不仅表现出对湿、热等降解因素的高稳定性，而且还具有优良的能源转化效率（基于铅-锡-梯度结构的太阳能电池平均效率为18.77％）。
近年来，钙钛矿材料一直是备受各界关注的一类半导体材料，其独特的晶体结构，载流子扩散迁移特征，在光电催化、能源传感等等诸多领域表现出了卓越的物理化学特性。这使得钙钛矿材料在例如太阳能电池、光纤通信、LED等应用领域占有**重要的地位，有望成为未来光电子器件的核心组成部分。
当前，有机-无机杂化钙钛矿由于其独有的电子和光学特性，如高吸收系数、长载流子扩散长度、带隙可调等。使得其在许多器件应用特别是柔性可拉伸器件中极具发展潜力。由于单晶的取向性与迁移行为和较低的缺陷浓度的依赖性，使得单晶杂化钙钛矿比多晶相具有更好的载流子输运行为和更高的稳定性。
然而，目前现有的许多方法多集中在多晶钙钛矿材料的研究上，在单晶杂化钙钛矿半导体器件的半导体制造工艺中实现制造厚度、形态面积和组成成分的同时控制上这一难题**具有挑战性。
钙钛矿材料供应：
复合钙钛矿材料钛酸铋钠-Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)
不同铁掺杂水平的BaTi_(1-Z)Fe_ZO_3与Tb_(1-x)Dy_xFe_(2-y)层状复合材料
Ta~(5+)掺杂的K_(2-x)La_2Ti_(3-x)Ta_xO_(10)(x=0.1-1.0)
米钛酸锶(SrTiO_3)和离子液体(ILs)复合修饰玻碳电极
上述产品仅用于科研，不可用于人体实验！
wyf 01.06
齐岳微信公众号
官方微信
库存查询